삼성전자 썸네일형 리스트형 HBM #11 - 삼성전자와 SK하이닉스의 공정 차이 1) 삼성전자와 SK하이닉스는 서로 다른 방식으로 HBM을 발전시켜왔음. 삼성전자는 TC-NCF 방식, SK하이닉스는 MR-MUF방식임 2) TC - NCF 방식은 쉽게 말해서, 웨이퍼 아래 얇은 필름을 깔아두어서 층층히 쌓아올린 다음에 압착시켜서 두 개의 층을 합치는 방식임 3) 반면, MR-MUF 방식은 층층히 쌓아올린 다음에 고온으로 쪄서 범프부분이 녹아서 접합되고, 빈 공간을 언더필 공정으로 채워주는 방식임 4) 두 방식 모두 각기다른 장,단점을 지닌 것으로 알려짐 TC - NCFMR - MUF장점 고단을 쌓기에 유리함유전율이 낮아 전기적 특성이 우수함 웨이퍼 휘어짐 현상 방지 (Wapage) 가능접합 강도나 높고, 외부 충격이나 온도 변화에 더 강한 내구성을 지님열 방출 성능이 뛰어남... 더보기 이전 1 다음
